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SVF2N60F N-channel MOS transistor de efeito de campo 2A 600V plástico selado plugue direto TO-220F original
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF2N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
2 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
4.2 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
5.67 nC
Tempo de recuperação reversa
230 ns
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF2N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
2 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
4.2 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
5.67 nC
Tempo de recuperação reversa
230 ns
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF2N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
2 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
4.2 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
5.67 nC
Tempo de recuperação reversa
230 ns
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
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