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Transistor de efeito de campo MOS de canal N SVF4N65F 4A 650V selado em plástico plugue direto TO-220F original
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF4N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
4 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.7 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
12.5 nC
Tempo de recuperação reversa
450 ns
Dissipação máxima de energia
30 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF4N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
4 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.7 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
12.5 nC
Tempo de recuperação reversa
450 ns
Dissipação máxima de energia
30 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF4N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
4 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.7 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
12.5 nC
Tempo de recuperação reversa
450 ns
Dissipação máxima de energia
30 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
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Entrega
ICMS
PIS e COFINS
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