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SVF7N60F Transistor de efeito de campo N-channel MOS 7A 600V plástico selado plugue direto TO-220F original
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Especificações do produto
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF7N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
7 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.2 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
15.16 nC
Tempo de recuperação reversa
351 ns
Dissipação máxima de energia
45 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF7N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
7 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.2 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
15.16 nC
Tempo de recuperação reversa
351 ns
Dissipação máxima de energia
45 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF7N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
7 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.2 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
15.16 nC
Tempo de recuperação reversa
351 ns
Dissipação máxima de energia
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Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
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