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SVF20N60F Transistor de efeito de campo N-channel MOS 20A 600V plástico selado plugue direto TO-220F original
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Especificações do produto
Marca
SILAN
Modelo
SVF20N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
20 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
0.35 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
47.45 nC
Tempo de recuperação reversa
630.1 ns
Dissipação máxima de energia
74 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF20N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
20 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
0.35 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
47.45 nC
Tempo de recuperação reversa
630.1 ns
Dissipação máxima de energia
74 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF20N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
20 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
0.35 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
47.45 nC
Tempo de recuperação reversa
630.1 ns
Dissipação máxima de energia
74 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
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