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SVF10N60F transistor de efeito de campo N-channel MOS fibra de vidro 600V plástico selado plugue direto TO-220F original
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Especificações do produto
Marca
SILAN
Modelo
SVF10N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
10 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
19.38 nC
Tempo de recuperação reversa
535.39 ns
Dissipação máxima de energia
50 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF10N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
10 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
19.38 nC
Tempo de recuperação reversa
535.39 ns
Dissipação máxima de energia
50 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF10N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
10 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
19.38 nC
Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
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Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
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