SVF10N60F transistor de efeito de campo N-channel MOS fibra de vidro 600V plástico selado plugue direto TO-220F original
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
SILAN
Modelo
SVF10N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
10 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
19.38 nC
Tempo de recuperação reversa
535.39 ns
Dissipação máxima de energia
50 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF10N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
10 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
19.38 nC
Tempo de recuperação reversa
535.39 ns
Dissipação máxima de energia
50 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF10N60F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
600 V
Corrente de drenagem (Id)
10 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
19.38 nC
Tempo de recuperação reversa
535.39 ns
Dissipação máxima de energia
50 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido

SVF10N60F_01

SVF10N60F_02

SVF10N60F_03

SVF10N60F_04

SVF10N60F_05

SVF10N60F_06

SVF10N60F_07

Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro