SVF20N50F Transistor de efeito de campo N-channel MOS 20A 500V plástico selado plugue direto TO-220F original
R$ 5,23
600 – 999 un.
R$ 4,59
1.000 – 2.396 un.
R$ 3,23
2.397+ un.
Preço preliminar por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
SILAN
Modelo
TO-220F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
500 V
Corrente de drenagem (Id)
20 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
0.27?
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
49.50 nC
Tempo de recuperação reversa
570.3 ns
Dissipação máxima de energia
72 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
TO-220F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
500 V
Corrente de drenagem (Id)
20 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
0.27?
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
49.50 nC
Tempo de recuperação reversa
570.3 ns
Dissipação máxima de energia
72 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
TO-220F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
500 V
Corrente de drenagem (Id)
20 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
0.27?
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
49.50 nC
Tempo de recuperação reversa
570.3 ns
Dissipação máxima de energia
72 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido

SVF20N50F/PN é um transistor de efeito de campo MOS de potência de alta tensão do tipo aprimoramento de canal N, fabricado usando a tecnologia de processo VDMOS planar de alta tensão F-CellTM da Silan Microelectronics. O processo avançado e a estrutura original do design da célula em forma de tira fazem com que este produto tenha menor resistência, desempenho de comutação superior e alta resistência à quebra por avalanche.

Este produto pode ser amplamente utilizado em fontes de alimentação de comutação AC-DC, conversores de energia DC-DC, unidades de motor PWM de ponte H de alta tensão

 

 

Característica principal

 

  • 20A, 500V, RDS(ligado)(típico)=0,20Ω@VGS=10V

  • Taxa de portão baixa

  • Baixa capacitância de transferência reversa

  • Velocidade de comutação rápida

  • Capacidade dv/dt aprimorada

 

 

 

 

Desenho de contorno do pacote

 



Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro