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SVF8N65F Transistor de efeito de campo N-channel MOS 8A 650V plástico selado plugue direto TO-220F original
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Especificações do produto
Marca
SILAN
Modelo
SVF8N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
8 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.4?
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
14.47 nC
Tempo de recuperação reversa
536.47 ns
Dissipação máxima de energia
48 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF8N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
8 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.4?
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
14.47 nC
Tempo de recuperação reversa
536.47 ns
Dissipação máxima de energia
48 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF8N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
8 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.4?
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
14.47 nC
Tempo de recuperação reversa
536.47 ns
Dissipação máxima de energia
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Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
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