SVF5N65F transistor de efeito de campo N-channel MOS 5A 650V plástico selado plugue direto TO-220F original
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF5N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.5 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
13.63 nC
Tempo de recuperação reversa
476 ns
Dissipação máxima de energia
30 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF5N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.5 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
13.63 nC
Tempo de recuperação reversa
476 ns
Dissipação máxima de energia
30 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
Shilanwei
Modelo
SVF5N65F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.5 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
13.63 nC
Tempo de recuperação reversa
476 ns
Dissipação máxima de energia
30 W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido

SVF5N65F_01

SVF5N65F_02

SVF5N65F_03

SVF5N65F_04

Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro