O texto nas imagens pode ser traduzido
Pacote NCE60P50K original novo TO-252 P Channel 60V/50A transistor de efeito de campo (MOSFET)
R$ 2,98
600 – 4.229 un.
R$ 1,73
4.230+ un.
Preço preliminar por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE60P50K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
50A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
28mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
Refer to PDF
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
95
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
Refer to PDF
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Other
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE60P50K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
50A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
28mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
Refer to PDF
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
95
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
Refer to PDF
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Other
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE60P50K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
50A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
28mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
Refer to PDF
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
95
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
Refer to PDF
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Other
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
Produtos similares
