O texto nas imagens pode ser traduzido
Transistor original brandnew NCE60P10K do efeito de campo do MOSFET da canaleta 60V/fiberglass do pacote TO-252 P do pacote TO-252 P
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE60P10K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
Fiberglass
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
106mΩ @ 10V, 10.0
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
25nC @ 10V
Dissipação máxima de energia
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de configuração
-55 ℃ ~ +175 ℃
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Surface mount
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE60P10K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
Fiberglass
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
106mΩ @ 10V, 10.0
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
25nC @ 10V
Dissipação máxima de energia
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de configuração
-55 ℃ ~ +175 ℃
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Surface mount
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE60P10K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
Fiberglass
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
106mΩ @ 10V, 10.0
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
25nC @ 10V
Dissipação máxima de energia
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de configuração
-55 ℃ ~ +175 ℃
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Surface mount
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
Produtos similares
