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Nuevo transistor de efecto de campo MOSFET de canal P, 60 V/150 A, paquete NCEP60T15G original.
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCEP60T15G
Encapsulación
DFN-8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje (Id)
150A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
3.1mΩ@10V,20A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Surface mount
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCEP60T15G
Encapsulación
DFN-8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje (Id)
150A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
3.1mΩ@10V,20A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Surface mount
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCEP60T15G
Encapsulación
DFN-8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje (Id)
150A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
3.1mΩ@10V,20A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Surface mount
Campo de aplicación
Security equipment
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
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