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Transistor original brandnew IRF9530NPBF do efeito de campo do MOSFET da canaleta 100V/14A do pacote TO220 P do pacote TO220 P
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Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF9530NPBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
100V
Corrente de drenagem (Id)
14A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
200mΩ @ 10V,8.4A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
58nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF9530NPBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
100V
Corrente de drenagem (Id)
14A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
200mΩ @ 10V,8.4A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
58nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF9530NPBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
100V
Corrente de drenagem (Id)
14A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
200mΩ @ 10V,8.4A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
58nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
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