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Transistor original brandnew IRF9Z34NPBF do efeito de campo do MOSFET da canaleta 55V/19A do pacote TO-220 P do pacote TO-220 P
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF9Z34NPBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
19A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
100mΩ @ 10V, 10.0
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
35nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF9Z34NPBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
19A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
100mΩ @ 10V, 10.0
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
35nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF9Z34NPBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
19A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
100mΩ @ 10V, 10.0
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
35nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
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