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Novo original IRF7465TRPBF SOIC-8 N-channel 150V1.9A SMD MOSFET transistor de efeito de campo
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Especificações do produto
Modelo
IRF7465TRPBF
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150 V
Corrente de drenagem (Id)
1.9A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
280 milliohm @ 1.14A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
-30 V, +30V
Carga do Portão (Qg)
10 nC
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
2.5(mW)
Tipo de configuração
1
Faixa de temperatura operacional
-55°C to 150°C
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances, 3C digital
Modelo
IRF7465TRPBF
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150 V
Corrente de drenagem (Id)
1.9A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
280 milliohm @ 1.14A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
-30 V, +30V
Carga do Portão (Qg)
10 nC
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
2.5(mW)
Tipo de configuração
1
Faixa de temperatura operacional
-55°C to 150°C
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances, 3C digital
Modelo
IRF7465TRPBF
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150 V
Corrente de drenagem (Id)
1.9A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
280 milliohm @ 1.14A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
-30 V, +30V
Carga do Portão (Qg)
10 nC
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
2.5(mW)
Tipo de configuração
1
Faixa de temperatura operacional
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Campo de aplicação
Household appliances, 3C digital
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