Componentes eletrônicos FDS86267P transistor de efeito de campo P 150V 2.2A original SOIC-8
R$ 19,67
200 – 958 un.
R$ 15,08
959+ un.
Preço preliminar por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
chip can
Modelo
FDS86267P
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150 V
Corrente de drenagem (Id)
2.2A(Ta)
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
255 milliohm @ 2.2A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
-25 V, +25V
Carga do Portão (Qg)
16 nC
Tempo de recuperação reversa
PDF
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances
Marca
chip can
Modelo
FDS86267P
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150 V
Corrente de drenagem (Id)
2.2A(Ta)
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
255 milliohm @ 2.2A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
-25 V, +25V
Carga do Portão (Qg)
16 nC
Tempo de recuperação reversa
PDF
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances
Marca
chip can
Modelo
FDS86267P
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150 V
Corrente de drenagem (Id)
2.2A(Ta)
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
255 milliohm @ 2.2A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
-25 V, +25V
Carga do Portão (Qg)
16 nC
Tempo de recuperação reversa
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Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances
Detalhes do produto
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