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Circuito integrado de componentes eletrônicos de cristal longo CJ2304 S4 SOT23 do transistor NMOS do efeito de campo de CJ
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Especificações do produto
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2304 S4
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2304 S4
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Changjing technology
Modelo
CJ2304 S4
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
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Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
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