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Circuito integrado de componentes eletrônicos de cristal longo CJ2304 S4 SOT23 do transistor NMOS do efeito de campo de CJ
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Entrega garantida
Transporte marítimo, até 100 Dias. Saiba Mais.Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2304 S4
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
3.3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2304 S4
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
3.3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Changjing technology
Modelo
CJ2304 S4
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
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Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
3.3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
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Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
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Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalhes do produto
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ICMS
PIS e COFINS
Outro
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