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Transistor de efeito de campo NVTJD4001NT1G pacote MOSFET de canal N SOT-363 original ON original IC
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Especificações do produto
Marca
chip can
Modelo
NVTJD4001NT1G
Encapsulamento
SOT-363
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
2 N-channel (dual)
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
250 mA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ohms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
1.3 nC
Tempo de recuperação reversa
PDF
Dissipação máxima de energia
272 mW
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Marca
chip can
Modelo
NVTJD4001NT1G
Encapsulamento
SOT-363
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
2 N-channel (dual)
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
250 mA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ohms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
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1.3 nC
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Modelo
NVTJD4001NT1G
Encapsulamento
SOT-363
Número do lote
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2 N-channel (dual)
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
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1.5 Ohms
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