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Transistor original brandnew do efeito de campo IRFR4615TRLPBF do MOSFET da N-canaleta 150V/33A do N-canal TO-252 TO-252
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR4615TRLPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150V
Corrente de drenagem (Id)
33A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
42mΩ @ 10V,21A
Tensão porta-fonte (Vgs)
5v @ 100uA
Carga do Portão (Qg)
26nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
144000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR4615TRLPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150V
Corrente de drenagem (Id)
33A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
42mΩ @ 10V,21A
Tensão porta-fonte (Vgs)
5v @ 100uA
Carga do Portão (Qg)
26nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
144000
Tipo de configuração
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Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
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Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR4615TRLPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150V
Corrente de drenagem (Id)
33A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
42mΩ @ 10V,21A
Tensão porta-fonte (Vgs)
5v @ 100uA
Carga do Portão (Qg)
26nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
144000
Tipo de configuração
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Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
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Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro