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IRFBE30PBF Transistor de efeito de campo MOS MOSFETs de canal N
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Especificações do produto
Marca
lhj
Modelo
IRFBE30PBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
23
Tipo de transistor
5
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
500
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
5
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
52
Tempo de recuperação reversa
2
Dissipação máxima de energia
150
Tipo de configuração
14
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Network Communication, Radio and Televis...
Mostrar tudo
Modo condutivo
Enhanced
Tipo de canal
N channel
Marca
lhj
Modelo
IRFBE30PBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
23
Tipo de transistor
5
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
500
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
5
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
52
Tempo de recuperação reversa
2
Dissipação máxima de energia
150
Tipo de configuração
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Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
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Tipo de canal
N channel
Marca
lhj
Modelo
IRFBE30PBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
23
Tipo de transistor
5
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
500
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
5
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
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Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
150
Tipo de configuração
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Faixa de temperatura operacional
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Tipo de instalação
Plug-in
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Enhanced
Tipo de canal
N channel
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