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Transistor de efeito de campo IR IRFB3207N MOSFET de Canal
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Modelo
IRFB3207
Encapsulamento
TO-3
Número do lote
23 +
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
5000
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
22
Tempo de recuperação reversa
3
Dissipação máxima de energia
500
Tipo de configuração
2
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Modelo
IRFB3207
Encapsulamento
TO-3
Número do lote
23 +
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
5000
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
22
Tempo de recuperação reversa
3
Dissipação máxima de energia
500
Tipo de configuração
2
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Modelo
IRFB3207
Encapsulamento
TO-3
Número do lote
23 +
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
5000
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
22
Tempo de recuperação reversa
3
Dissipação máxima de energia
500
Tipo de configuração
2
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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