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Transistor de efeito de campo 2SK3562 MOSFETs de canal N
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Especificações do produto
Marca
lhj
Modelo
2SK3562
Encapsulamento
TO220
Número do lote
18
Tipo de transistor
58
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
220
Corrente de drenagem (Id)
5
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
22
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
5
Tempo de recuperação reversa
5
Dissipação máxima de energia
552
Tipo de configuração
15
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Mostrar tudo
Tipo de canal
N channel
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
lhj
Modelo
2SK3562
Encapsulamento
TO220
Número do lote
18
Tipo de transistor
58
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
220
Corrente de drenagem (Id)
5
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
22
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
5
Tempo de recuperação reversa
5
Dissipação máxima de energia
552
Tipo de configuração
15
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Tipo de canal
N channel
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
lhj
Modelo
2SK3562
Encapsulamento
TO220
Número do lote
18
Tipo de transistor
58
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
220
Corrente de drenagem (Id)
5
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
22
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
5
Tempo de recuperação reversa
5
Dissipação máxima de energia
552
Tipo de configuração
15
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Tipo de canal
N channel
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
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