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Transistor de efeito de campo de canal N NDS331N criança fada
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Especificações do produto
Marca
FAIRCHILD/fairy child
Modelo
NDS331N
Encapsulamento
SOT23
Número do lote
23
Tipo de transistor
Standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, Measuring instrument, Smart Home, Network Communication, Security equipment,...
Mostrar tudo
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
FAIRCHILD/fairy child
Modelo
NDS331N
Encapsulamento
SOT23
Número do lote
23
Tipo de transistor
Standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, Measuring instrument, Smart Home, Network Communication, Security equipment,...
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Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
FAIRCHILD/fairy child
Modelo
NDS331N
Encapsulamento
SOT23
Número do lote
23
Tipo de transistor
Standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Plug-in
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, Measuring instrument, Smart Home, Network Communication, Security equipment,...
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Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
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