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Transistor de efeito de campo 2SK3567 TO-220F 3.600 V MOSFET de canal N
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Modelo
2SK3567
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
23
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55-150
Tipo de instalação
DIP
Campo de aplicação
Measuring instrument, Security equipment, Medical Electronics
Modelo
2SK3567
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
23
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55-150
Tipo de instalação
DIP
Campo de aplicação
Measuring instrument, Security equipment, Medical Electronics
Modelo
2SK3567
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
23
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55-150
Tipo de instalação
DIP
Campo de aplicação
Measuring instrument, Security equipment, Medical Electronics
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
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