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Transistor de baixa potência 2SA1162-GR SOT23 SMD PNP
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Variantes
SOT23
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Especificações do produto
Marca
lhj
Modelo
2SA1162-GR
Encapsulamento
SOT23
Número do lote
23 +
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
Standard
Corrente máxima do coletor (Icm)
Standard
Fator de amplificação atual (hFE)
Standard
Frequência característica
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Standard
Campo de aplicação
Household appliances
Formulário de encapsulamento
SOT23
Materiais
Silicon (Si)
Marca
lhj
Modelo
2SA1162-GR
Encapsulamento
SOT23
Número do lote
23 +
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
Standard
Corrente máxima do coletor (Icm)
Standard
Fator de amplificação atual (hFE)
Standard
Frequência característica
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Standard
Campo de aplicação
Household appliances
Formulário de encapsulamento
SOT23
Materiais
Silicon (Si)
Marca
lhj
Modelo
2SA1162-GR
Encapsulamento
SOT23
Número do lote
23 +
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
Standard
Corrente máxima do coletor (Icm)
Standard
Fator de amplificação atual (hFE)
Standard
Frequência característica
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Standard
Campo de aplicação
Household appliances
Formulário de encapsulamento
SOT23
Materiais
Silicon (Si)
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