Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: TO-263-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Tensão de ruptura Vds-dreno-fonte: 100 V
Id-Corrente de dreno contínua: 80 A
Rds On-Drain-Source Resistência On: 5,9 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - tensão limite porta-fonte: 2 V
Carga da porta Qg: 64 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: OptiMOS
Pacote: Carretel
Embalagem: Fita cortada
Pacote: MouseReel
Marca registrada: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 9 ns
Transcondutância direta - mínimo: 50 S
Altura: 4,4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 37 ns
Série: OptiMOS 3
1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 37 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 19 ns
Largura: 9,25 mm
Número da peça Alias: IPB065N10N3 G SP001232588
Peso unitário: 4 g