Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote/Caixa: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Tensão de ruptura Vds-dreno-fonte: 60 V
Id-Corrente de dreno contínua: 100 A
Rds On-Drain-Source Resistência On: 3,4 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - tensão limite porta-fonte: 3 V
Carga da porta Qg: 130 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 167 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: OptiMOS
Pacote: Carretel
Embalagem: Fita cortada
Pacote: MouseReel
Marca registrada: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 16 ns
Transcondutância direta - mínimo: 75 S
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 161 ns
Série: OptiMOS 3
2500
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 63 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 38 ns
Largura: 6,22 mm
Número da peça Alias: SP000451070 IPD34N6N3GXT IPD034N06N3GATMA1
Peso unitário: 330 mg