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NCE65T680F N-channel power MOS field effect transistor 650V 7A plugue direto TO-220F novo original
R$ 2,33
600 – 5.845 un.
R$ 1,45
5.846+ un.
Preço preliminar por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T680F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
7A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
600mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
4V
Dissipação máxima de energia
31.4W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T680F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
7A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
600mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
4V
Dissipação máxima de energia
31.4W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T680F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
7A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
600mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
4V
Dissipação máxima de energia
31.4W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
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Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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