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NCE65TF180F Transistor de efeito de campo N-channel power MOS 650V 21A plugue direto TO-220F novíssimo original
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65TF180F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
21CA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
180 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
4V
Dissipação máxima de energia
33.8W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65TF180F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
21CA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
180 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
4V
Dissipação máxima de energia
33.8W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65TF180F
Encapsulamento
TO-220F
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
21CA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
180 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
4V
Dissipação máxima de energia
33.8W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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