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Transistor original brandnew STD80N4F6 do efeito de campo do canal 40V/80A MOS do pacote TO-252 N do pacote TO-252 N
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Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
STD80N4F6
Número do lote
23 +
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
40V
Corrente de drenagem (Id)
80A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
6mΩ @ 10V,40A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
36nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Dissipação máxima de energia
Contact customer service
Tipo de configuração
Contact customer service
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
STD80N4F6
Número do lote
23 +
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
40V
Corrente de drenagem (Id)
80A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
6mΩ @ 10V,40A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
36nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Dissipação máxima de energia
Contact customer service
Tipo de configuração
Contact customer service
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
STD80N4F6
Número do lote
23 +
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
40V
Corrente de drenagem (Id)
80A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
6mΩ @ 10V,40A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
36nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Dissipação máxima de energia
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Tipo de configuração
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Faixa de temperatura operacional
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Campo de aplicação
Security equipment
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