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NCE55P04S 2 transistor de efeito de campo MOS de potência P-channel 55V 4A patch SOP-8 original
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE55P04S
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
2 P channels
Corrente de drenagem (Id)
4A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
82mΩ @ 10V,4A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Carga do Portão (Qg)
26nC
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
3W
Tipo de configuração
2 P channels
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE55P04S
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
2 P channels
Corrente de drenagem (Id)
4A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
82mΩ @ 10V,4A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Carga do Portão (Qg)
26nC
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
3W
Tipo de configuração
2 P channels
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE55P04S
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
2 P channels
Corrente de drenagem (Id)
4A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
82mΩ @ 10V,4A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Carga do Portão (Qg)
26nC
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
3W
Tipo de configuração
2 P channels
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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