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NCE55P30K P canal de potência MOS tubo de efeito de campo 55v 30A patch TO-252 novo original
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Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE55P30K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Corrente de drenagem (Id)
30A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
40mΩ @ 10V,15A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Dissipação máxima de energia
65W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE55P30K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Corrente de drenagem (Id)
30A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
40mΩ @ 10V,15A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Dissipação máxima de energia
65W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE55P30K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Corrente de drenagem (Id)
30A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
40mΩ @ 10V,15A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Dissipação máxima de energia
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