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Transistor de efeito de campo NVTJD4001NT1G pacote MOSFET de canal N SOT-363 original ON original IC
R$ 3,28
600 – 3.595 un.
R$ 2,20
3.596+ un.
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Especificações do produto
Marca
chip can
Modelo
NVTJD4001NT1G
Encapsulamento
SOT-363
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
2 N-channel (dual)
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
250 mA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ohms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
1.3 nC
Tempo de recuperação reversa
PDF
Dissipação máxima de energia
272 mW
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Mostrar tudo
Marca
chip can
Modelo
NVTJD4001NT1G
Encapsulamento
SOT-363
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
2 N-channel (dual)
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
250 mA
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ohms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
1.3 nC
Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
272 mW
Faixa de temperatura operacional
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Modelo
NVTJD4001NT1G
Encapsulamento
SOT-363
Número do lote
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Tipo de transistor
2 N-channel (dual)
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
250 mA
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1.5 Ohms
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