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NCE60P25K original brandnew brandnew do remendo TO-252 do tubo 60V 25A do efeito de campo dos MOS do canal de P
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Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE60P25K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
25A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
45mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Dissipação máxima de energia
90W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE60P25K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
25A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
45mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Dissipação máxima de energia
90W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE60P25K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
25A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
45mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Dissipação máxima de energia
90W
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P channel
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-55 ℃ ~ +175 ℃
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