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NCE60P50K P canal de alimentação MOS tubo de efeito de campo 60V 50A patch TO-252 novo original
R$ 3,28
600 – 3.595 un.
R$ 2,20
3.596+ un.
Preço preliminar por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE60P50K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
50A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
23mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Dissipação máxima de energia
95W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE60P50K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
50A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
23mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Dissipação máxima de energia
95W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE60P50K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
50A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
23mΩ @ 10V,20A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.5V@250μA
Dissipação máxima de energia
95W
Tipo de configuração
P channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
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Entrega
ICMS
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Outro
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