IPW65R041CFD silk screen 65F6041 original TO 247 650V/68.5A N tubo de efeito de campo do canal
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Modelo
IPW65R041CFD
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Corrente de drenagem (Id)
68.5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
300 nC
Tempo de recuperação reversa
8 ns
Dissipação máxima de energia
500
Faixa de temperatura operacional
1
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Modelo
IPW65R041CFD
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Corrente de drenagem (Id)
68.5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
300 nC
Tempo de recuperação reversa
8 ns
Dissipação máxima de energia
500
Faixa de temperatura operacional
1
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Modelo
IPW65R041CFD
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Corrente de drenagem (Id)
68.5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
300 nC
Tempo de recuperação reversa
8 ns
Dissipação máxima de energia
500
Faixa de temperatura operacional
1
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido







Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro