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IPW65R041CFD silk screen 65F6041 original TO 247 650V/68.5A N tubo de efeito de campo do canal
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Especificações do produto
Modelo
IPW65R041CFD
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Corrente de drenagem (Id)
68.5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
300 nC
Tempo de recuperação reversa
8 ns
Dissipação máxima de energia
500
Faixa de temperatura operacional
1
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Modelo
IPW65R041CFD
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Corrente de drenagem (Id)
68.5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
300 nC
Tempo de recuperação reversa
8 ns
Dissipação máxima de energia
500
Faixa de temperatura operacional
1
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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IPW65R041CFD
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Corrente de drenagem (Id)
68.5 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
37 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
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