SIHB24N80AE-GE3 novo pacote original de transistor de efeito de campo de canal N (MOSFET) TO-263
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Nome: SIHB24N80AE-GE3 Novo pacote original de transistor de efeito de campo de canal N (MOSFET) TO-263
Marca: Yuanxin
Modelo: SIHB24N80AE-GE3
Tipo:MOS
Número de pinos: /
Uso: Industrial.
Série: Chip de gerenciamento de energia
Potência: normal
Serviço especial: produtos originais e autênticos podem ser faturados
Descrição do produto: modelo de qualidade
Número do item: SIHB24N80AE-GE3
Se deve fornecer fornecimento exclusivo para exportações transfronteiriças: Não
Pacote:/
Pacote: TO-263
número do lote:/
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