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LRC Leshan patch efeito de campo transistor tubo MOS LP3443LT1G tela de seda SOT-23 P34 Canal P
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Transporte marítimo, até 100 Dias. Saiba Mais.Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
LRC
Modelo
LP3443LT1G
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
2022
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
-20v
Corrente de drenagem (Id)
-4.7A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
58mR
Tensão porta-fonte (Vgs)
-0.85
Carga do Portão (Qg)
20
Dissipação máxima de energia
207
Tipo de configuração
Patch
Faixa de temperatura operacional
-55-155
Tipo de instalação
Patch
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LRC
Modelo
LP3443LT1G
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
2022
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
-20v
Corrente de drenagem (Id)
-4.7A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
58mR
Tensão porta-fonte (Vgs)
-0.85
Carga do Portão (Qg)
20
Dissipação máxima de energia
207
Tipo de configuração
Patch
Faixa de temperatura operacional
-55-155
Tipo de instalação
Patch
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LRC
Modelo
LP3443LT1G
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
2022
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
-20v
Corrente de drenagem (Id)
-4.7A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
58mR
Tensão porta-fonte (Vgs)
-0.85
Carga do Portão (Qg)
20
Dissipação máxima de energia
207
Tipo de configuração
Patch
Faixa de temperatura operacional
-55-155
Tipo de instalação
Patch
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Detalhes do produto
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PIS e COFINS
Outro
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