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Transistor D-MOS vertical BSS87 SOT89 modo de aprimoramento de canal N
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Especificações do produto
Marca
LHJ
Modelo
BSS87
Encapsulamento
SOT89
Número do lote
23
Tipo de transistor
1
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
5000
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
1
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
1
Tipo de configuração
1
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Mostrar tudo
Tipo de canal
N channel
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LHJ
Modelo
BSS87
Encapsulamento
SOT89
Número do lote
23
Tipo de transistor
1
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
5000
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
1
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
1
Tipo de configuração
1
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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N channel
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LHJ
Modelo
BSS87
Encapsulamento
SOT89
Número do lote
23
Tipo de transistor
1
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
250
Corrente de drenagem (Id)
5000
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1
Tensão porta-fonte (Vgs)
220
Carga do Portão (Qg)
1
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
1
Tipo de configuração
1
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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N channel
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
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