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Transistor de efeito de campo canal P SUM110P06-08L 110A 60V pacote TO-263 suporte eletrônico
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Controlamos a qualidade do produto na fábrica usando padrões internacionais
Especificações do produto
Marca
Xinjiayuan
Modelo
SUM110P06-08L
Encapsulamento
TO-263
Número do lote
20 +
Tipo de transistor
Original factory standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
110 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
8 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
160 nC
Tempo de recuperação reversa
Original factory standard
Dissipação máxima de energia
Original factory standard
Tipo de configuração
Original factory standard
Faixa de temperatura operacional
Original factory standard
Tipo de instalação
Original factory standard
Marca
Xinjiayuan
Modelo
SUM110P06-08L
Encapsulamento
TO-263
Número do lote
20 +
Tipo de transistor
Original factory standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
110 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
8 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
160 nC
Tempo de recuperação reversa
Original factory standard
Dissipação máxima de energia
Original factory standard
Tipo de configuração
Original factory standard
Faixa de temperatura operacional
Original factory standard
Tipo de instalação
Original factory standard
Marca
Xinjiayuan
Modelo
SUM110P06-08L
Encapsulamento
TO-263
Número do lote
20 +
Tipo de transistor
Original factory standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
110 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
8 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
160 nC
Tempo de recuperação reversa
Original factory standard
Dissipação máxima de energia
Original factory standard
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Original factory standard
Faixa de temperatura operacional
Original factory standard
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Original factory standard
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