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Transistor de efeito de campo MOSFET de plugue direto IRF610PBF TO-220 N canal-200V/-3.3A original novo
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF610PBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
200V
Corrente de drenagem (Id)
3.3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ω @ 10V,2A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
8.2nC@10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF610PBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
200V
Corrente de drenagem (Id)
3.3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ω @ 10V,2A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
8.2nC@10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF610PBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
200V
Corrente de drenagem (Id)
3.3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.5 Ω @ 10V,2A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
8.2nC@10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro