Atualização temporária do prazo de entrega.
O texto nas imagens pode ser traduzido
Circuito integrado de componentes eletrônicos de cristal longo CJ2306 S6 SOT-23 do transistor NMOS do efeito de campo de CJ
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2306 S6
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
3.16A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
38 mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Detailed reference specification
Tempo de recuperação reversa
Detailed reference specification
Dissipação máxima de energia
Detailed reference specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2306 S6
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
3.16A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
38 mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Detailed reference specification
Tempo de recuperação reversa
Detailed reference specification
Dissipação máxima de energia
Detailed reference specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2306 S6
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
3.16A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
38 mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 20V
Carga do Portão (Qg)
Detailed reference specification
Tempo de recuperação reversa
Detailed reference specification
Dissipação máxima de energia
Detailed reference specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
Atualização de prazos
Frete marítimo, 125 dias