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Transistor PNP do triodo do remendo do remendo do MMBT5401 2L SOT-23 600Ma/150V da condução de cristal de JDW micro
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Variantes
SOT-23
Especificações do produto
Marca
Crystal Conduction Micro
Modelo
MMBT5401 2L
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
PNP
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
150V
Corrente máxima do coletor (Icm)
0.6A
Tensão de saturação coletor-emissor
180V
Fator de amplificação atual (hFE)
100-300
Frequência característica
100MHz
Dissipação máxima de energia
300
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface Mount Type
Campo de aplicação
3C digital
Marca
Crystal Conduction Micro
Modelo
MMBT5401 2L
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
PNP
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
150V
Corrente máxima do coletor (Icm)
0.6A
Tensão de saturação coletor-emissor
180V
Fator de amplificação atual (hFE)
100-300
Frequência característica
100MHz
Dissipação máxima de energia
300
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface Mount Type
Campo de aplicação
3C digital
Marca
Crystal Conduction Micro
Modelo
MMBT5401 2L
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
PNP
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
150V
Corrente máxima do coletor (Icm)
0.6A
Tensão de saturação coletor-emissor
180V
Fator de amplificação atual (hFE)
100-300
Frequência característica
100MHz
Dissipação máxima de energia
300
Faixa de temperatura operacional
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalação
Surface Mount Type
Campo de aplicação
3C digital
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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