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Transistor triodo PNP SMD SOT-23 de 0,5 A y 60 V, paquete 2H, serigrafía MMBTA55LT1G
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Variaciones
MMBTA55LT1G
Especificaciones del producto
Marca
Original factory
Modelo
MMBTA55LT1G
Encapsulación
MMBTA55LT1G
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
NP
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
60
Corriente máxima del colector (Icm)
0.5
Tensión de saturación colector-emisor
Reference Specification
Factor de amplificación de corriente (hFE)
Reference Specification
Frecuencia característica
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
88
Rango de temperatura de funcionamiento
Reference Specification
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
MMBTA55LT1G
Encapsulación
MMBTA55LT1G
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
NP
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
60
Corriente máxima del colector (Icm)
0.5
Tensión de saturación colector-emisor
Reference Specification
Factor de amplificación de corriente (hFE)
Reference Specification
Frecuencia característica
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
88
Rango de temperatura de funcionamiento
Reference Specification
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
MMBTA55LT1G
Encapsulación
MMBTA55LT1G
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
NP
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
60
Corriente máxima del colector (Icm)
0.5
Tensión de saturación colector-emisor
Reference Specification
Factor de amplificación de corriente (hFE)
Reference Specification
Frecuencia característica
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
88
Rango de temperatura de funcionamiento
Reference Specification
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Detalles del producto
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