O texto nas imagens pode ser traduzido
Transistor original brandnew do efeito de campo do MOSFET da canaleta 55V/42A de IRF4905STRLPBF P TO-263-3 P
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF4905STRLPBF
Encapsulamento
TO-263
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
42A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
20mΩ @ 10V,42A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
180nC@10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
170000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF4905STRLPBF
Encapsulamento
TO-263
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
42A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
20mΩ @ 10V,42A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
180nC@10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
170000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF4905STRLPBF
Encapsulamento
TO-263
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
42A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
20mΩ @ 10V,42A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
180nC@10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
170000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro