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Transistor de efeito de campo MOSFET de plugue direto IRF840PBF TO-220 N-Channel 500V / 8A original novo
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF840PBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
500V
Corrente de drenagem (Id)
8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
850mΩ@4.8A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
63nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF840PBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
500V
Corrente de drenagem (Id)
8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
850mΩ@4.8A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
63nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF840PBF
Encapsulamento
TO-220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
500V
Corrente de drenagem (Id)
8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
850mΩ@4.8A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
63nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
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nulo
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro