Transistor IRF7480MTRPBF MOSFET 21 + original DIRECTFET no chip ic de estoque
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Variantes
DirectFET-ME
Especificações do produto
Marca
INF
Modelo
ISO1H815GAUMA1
Encapsulamento
DirectFET-ME
Número do lote
21 +
Tipo de transistor
1 N-Channel
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
-
Corrente máxima do coletor (Icm)
-
Tensão de saturação coletor-emissor
-
Fator de amplificação atual (hFE)
-
Frequência característica
-
Dissipação máxima de energia
96
Faixa de temperatura operacional
-55C ~ 150C
Tipo de instalação
SMD/SMT
Campo de aplicação
Automotive Electronics
Marca
INF
Modelo
ISO1H815GAUMA1
Encapsulamento
DirectFET-ME
Número do lote
21 +
Tipo de transistor
1 N-Channel
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
-
Corrente máxima do coletor (Icm)
-
Tensão de saturação coletor-emissor
-
Fator de amplificação atual (hFE)
-
Frequência característica
-
Dissipação máxima de energia
96
Faixa de temperatura operacional
-55C ~ 150C
Tipo de instalação
SMD/SMT
Campo de aplicação
Automotive Electronics
Marca
INF
Modelo
ISO1H815GAUMA1
Encapsulamento
DirectFET-ME
Número do lote
21 +
Tipo de transistor
1 N-Channel
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
-
Corrente máxima do coletor (Icm)
-
Tensão de saturação coletor-emissor
-
Fator de amplificação atual (hFE)
-
Frequência característica
-
Dissipação máxima de energia
96
Faixa de temperatura operacional
-55C ~ 150C
Tipo de instalação
SMD/SMT
Campo de aplicação
Automotive Electronics
Detalhes do produto
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Pesquisa de valor de atributo de produto semelhante
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/Caixa: DirectFET-ME
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Tensão de ruptura Vds-dreno-fonte: 40 V
Id-Corrente de dreno contínua: 217 A
Rds On-Drain-Source Resistência On: 1,2 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - tensão limite porta-fonte: 3 V
Carga da porta Qg: 123 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 96 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: StrongIRFET
Pacote: Carretel
Embalagem: Fita Cortada
Pacote: MouseReel
Marca registrada: Infineon / IR
Configuração: Único
Tempo de queda: 58 ns
Transcondutância direta - mínimo: 370 S
Altura: 0,7 mm
Comprimento: 6,35 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 70 ns
4800
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 68 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 21 ns
Largura: 5,05 mm
Número da peça Alias: IRF7480MTRPBF SP001566252
Peso unitário: 500 mg1

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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro