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BF998 transistor de efeito de campo MOS de porta dupla de canal N importado MOSFETs originais de canal N
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Especificações do produto
Marca
LHJ
Modelo
BF998
Encapsulamento
SOP
Número do lote
23
Tipo de transistor
Standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Mostrar tudo
Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LHJ
Modelo
BF998
Encapsulamento
SOP
Número do lote
23
Tipo de transistor
Standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LHJ
Modelo
BF998
Encapsulamento
SOP
Número do lote
23
Tipo de transistor
Standard
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Standard
Corrente de drenagem (Id)
Standard
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
Standard
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
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Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
150
Tipo de instalação
Patch
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New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Tipo
Insulated Gate (MOSFETs)
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