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Transistor de efecto de campo MOS IRFB7434PBF IRFB7434, nuevo y original, 40 V/195 A, TO-220

Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Zengdaheng
Modelo
IRFB7434PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
2019
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje (Id)
195A(Tc)
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
1.6 milliohm @ 100A,10V
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 20V
Carga de puerta (Qg)
324NC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
·
Disipación máxima de potencia
294W(Tc)
Tipo de configuración
IRFB7434PBF
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C(TJ)
Tipo de instalación
Through Hole
Campo de aplicación
3C digital
Marca
Zengdaheng
Modelo
IRFB7434PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
2019
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje (Id)
195A(Tc)
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
1.6 milliohm @ 100A,10V
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 20V
Carga de puerta (Qg)
324NC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
·
Disipación máxima de potencia
294W(Tc)
Tipo de configuración
IRFB7434PBF
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C(TJ)
Tipo de instalación
Through Hole
Campo de aplicación
3C digital
Marca
Zengdaheng
Modelo
IRFB7434PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
2019
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje (Id)
195A(Tc)
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
1.6 milliohm @ 100A,10V
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 20V
Carga de puerta (Qg)
324NC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
·
Disipación máxima de potencia
294W(Tc)
Tipo de configuración
IRFB7434PBF
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C(TJ)
Tipo de instalación
Through Hole
Campo de aplicación
3C digital
Detalles del producto
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1572232019(1)


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