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Compre Circuito integrado de componentes eletrônicos de cristal longo IC do PMOS do triodo do efeito de campo cj205 S5 SOT-23 no atacado no Joom.pro
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Circuito integrado de componentes eletrônicos de cristal longo IC do PMOS do triodo do efeito de campo cj205 S5 SOT-23
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Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Changjing technology
Modelo
Cj205 S5
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
PMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
-12V
Corrente de drenagem (Id)
-4.1A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
30 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 8V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
PMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
0 ℃ ~ 115 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Marca
Changjing technology
Modelo
Cj205 S5
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
PMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
-12V
Corrente de drenagem (Id)
-4.1A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
30 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 8V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
PMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
0 ℃ ~ 115 ℃
Tipo de instalação
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Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Modelo
Cj205 S5
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
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PMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
-12V
Corrente de drenagem (Id)
-4.1A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
30 Mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 8V
Carga do Portão (Qg)
Reference Specification
Tempo de recuperação reversa
Reference Specification
Dissipação máxima de energia
Reference Specification
Tipo de configuração
PMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
0 ℃ ~ 115 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
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