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Transistor original brandnew NCE65T260K do efeito de campo do canal 650V/15A MOS do pacote TO-252 N do pacote TO-252 N
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE65T260K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
15A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
260mΩ @ 10V,8A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Surface mount
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE65T260K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
15A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
260mΩ @ 10V,8A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Surface mount
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
NCE65T260K
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
15A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
260mΩ @ 10V,8A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Surface mount
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
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